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HS11C-A-P系列电流传感器
HS11C.png
HS11C-A-P系列电流传感器
HS11C-A-P系列电流传感器
HS11C-A-P系列标准产品通用技术参数:

功能描述

 

该传感器系列开环型霍尔电流传感器的初、次级之间是绝缘的,用于控制、测量直流、交流和脉冲电流。


特性

 

安装方便

无插入损耗

抗干扰能力强 

体积小,节省空间

 

应用领域  图片1.png

 

交流变频调速器

不间断电源 (UPS) 

直流电机驱动的静止式变流器 

开关电源 (SMPS) 

电动汽车

通讯电源

 

 

型号列表




产品型号

型号

额定输入电流IPN (A)

测量范围 IPM (A)

HS11C-50A-P

50

±50

HS11C-100A-P

100

±100

HS11C-150A-P

150

±150

HS11C-200A-P

200

±200

HS11C-300A-P

300

±300

HS11C-400A-P

400

±400

HS11C-500A-P

500

±500

HS11C-600A-P

600

±600

HS11C-700A-P

700

±700

HS11C-800A-P

800

±800

HS11C-900A-P

900

±900


 

HS11C-50A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-50


50


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


40



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-100A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-100


100


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


20



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

kΩ

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-150A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-150


150


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


13.333



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-200A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-200


200


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


10



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-300A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-300


300


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


6.666



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-400A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-400


400


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


5



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-500A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-500


500


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


4



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-600A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-600


600


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


3.333



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-700A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-700


700


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


2.857



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA -40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-800A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-800


800


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


2.5



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

HS11C-900A-P参数表

参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

备注

电气参数

原边电流测量范围

IPN

A

-900


900


供电电压

VC

V

4.5

5.0

5.5


输出电压

VOUT

V

VOUT=1/2Vc±2V

@VC=5V

零点输出电压

VQOV

V


1/2Vc


@IP=0A

理论增益

Gth

mV/A


2.222



电流消耗

IC

mA


7

10


负载电阻

RL

4.7

-

不限

@VOUT to GND

负载电容

C2

nF

-

1

10

@VOUT to GND

电源滤波电容

C1

µF

-

-

-


性能参数

增益误差

ƐG

%

-1


1

@TA=25

增益误差的温度漂移

TCG

%/

-0.035


0.035

@TA=-40~125

零点误差

VOE

mV


±15


@IP=0A

零点误差的温度漂移

TCVOE

mV/

-0.08


0.08

@TA=-40~125

磁失调电压

VOM

mV

-

-

-


非线性误差

ƐL

% of IPN

-1


1

@TA=25不包含零点 VOE

响应时间

tr

µs


6

8


频带(-3dB)

BW

kHz


50



电流跟随di/dt

di/dt

A/µS

50




相移

degree


-


@DC to 1KHZ

输出噪声

Vno pp

mV


-


@DC to 1MHZ

通用性参数

工作环境温度

TA

-40….+125


存储环境温度

TS

-55….+125


重量

m

g

approx 22


 

 

注意

(1) 输出电压VOUT、偏移电压VQOV、灵敏度Gth与电源VC完全成比例依赖关系;

 

(2) 待测电流的频率需限制在传感器频带范围内,否则会引起磁芯及芯片过热;

 

(3) 错误的接线方式可能会损坏传感器

 

绝缘特性

 

参数

符号

单位

数值

备注

交流隔离耐压测试有效值 @ 50Hz,1min

UD

KV

3


冲击耐受电压1.2/50uS

UW

KV

-


外壳材料

-

-

UL94-V0

PBT+30%GF

相对耐漏电起痕指数

CTI

-

-


爬电距离

dCP

mm

-


电气间隙

dCI

mm

-


 

 

最大限值

 

参数

符号

单位

数值

供电电压

VC

V

6

输出电流(输出对地短路)

Iout

mA

10

静电放电-接触放电

VESD

V

4000

 

 

机械尺寸

 

 图片2.png

 

 

 

注意

 

图片4.png图片3.png传感器使用必须遵循 IEC61010-1 标准。 传感器必须按照使用说明要求安放在符合应用标准和安全要求的电子或电气设备中。

 

 注意, 

 

传感器工作时,某些部位可能会承受危险电压(如原边母排、电源),忽视这些将导致损坏和严重危险。 传感器是内置式设备,在安装完毕后其导电部分一定要保证不被外界触及。必要时可加装保护壳或屏蔽罩。 主电源必须能被断开。




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