DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的最新产品,以新型材料作为磁芯,可满足多项应用要求。
一.产品特点:
① 耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;
② 漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;
③ 无开关延时、瞬时传输功率高;
④ 抗电强度高,安全可靠;
⑤ 全封闭,机械和耐环境性能好;
⑥ 体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。
二.使用条件:
① 环境温度:-40℃~+85℃;
② 相对湿度:温度为40℃时不大于90%;
③ 大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)。
三.绝缘耐热等级:B级(130℃)
四.安全特性:
① 绝缘电阻:常态时大于1000MΩ;
② 阻燃性:符合UL94-V0级。
五.DRT系列驱动变压器各型号典型特性对比表:
序号 | 型号 | 变比 (u) | ∫udt (μVs) | 耐压 VP (kV) | 外形尺寸 (mm)3 | 重量 | 页码 |
1 | 1:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 4.9 | 127 | |
2 | 2:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 4.6 | 127 | |
3 | 3:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 4.8 | 127 | |
4 | 1:1:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 5.0 | 127 | |
5 | 2:1:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 4.6 | 127 | |
6 | 3:1:1 | 280 | 3.1 | 16.6×12.5×13.5 | 4.6 | 127 | |
7 | 1:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 7.8 | 127 | |
8 | 2:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 7.5 | 127 | |
9 | 3:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 8 | 127 | |
10 | 1:1:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 7.6 | 127 | |
11 | 2:1:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 7.5 | 127 | |
12 | 3:1:1 | 310 | 3.1 | 20.2×20×14.5 | 7.3 | 127 |
序号 | 型号 | 变比 (u) | ∫udt (μVs) | 耐压 VP (kV) | 外形尺寸 (mm)3 | 重量 | 页码 |
13 | 1:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 36.5 | 128 | |
14 | 2:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 34.3 | 128 | |
15 | 3:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 35 | 128 | |
16 | 1:1:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 35 | 128 | |
17 | 2:1:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 34.3 | 128 | |
18 | 3:1:1 | 1000 | 6 | 30.14×27.94×25 | 34.8 | 128 | |
19 | 1:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 17.8 | 129 | |
20 | 2:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 17.8 | 129 | |
21 | 3:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 17.3 | 129 | |
22 | 1:1:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 18.1 | 129 | |
23 | 2:1:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 18.3 | 129 | |
24 | 3:1:1 | 480 | 4.5 | 23×23×22 | 18.5 | 129 | |
25 | 1:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 23.5 | 129 | |
26 | 2:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 23.5 | 129 | |
27 | 3:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 23.8 | 129 | |
28 | 1:1:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 24 | 129 | |
29 | 2:1:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 23.3 | 129 | |
30 | 3:1:1 | 1000 | 4.5 | 27.6×25.1×20 | 23.5 | 129 | |
31 | 1:1 | 40 | 3.1 | 14×9.5×15 | 3.0 | 130 | |
32 | 2:1 | 40 | 3.1 | 14×9.5×15 | 3.8 | 130 | |
33 | 3:1 | 40 | 3.1 | 14×9.5×15 | 3.8 | 130 | |
34 | 1:1 | 110 | 3.1 | 14×13.7×12 | 3.9 | 130 | |
35 | 2:1 | 110 | 3.1 | 14×13.7×12 | 3.8 | 130 | |
36 | 3:1 | 110 | 3.1 | 14×13.7×12 | 2.8 | 130 | |
37 | 1:1:1 | 110 | 2.5 | 14×13.7×12 | 3.9 | 130 | |
38 | 2:1:1 | 110 | 2.5 | 14×13.7×12 | 3.8 | 130 | |
39 | 3:1:1 | 110 | 2.5 | 14×13.7×12 | 3.8 | 130 | |
40 | 1:1 | 150 | 3.1 | 16.6×14.8×14.3 | 3.8 | 131 | |
41 | 2:1 | 150 | 3.1 | 16.6×14.8×14.3 | 4.1 | 131 | |
42 | 3:1 | 150 | 3.1 | 16.6×14.8×14.3 | 4.3 | 131 | |
43 | 1:1:1 | 150 | 2.5 | 16.6×14.8×14.3 | 5.8 | 131 | |
44 | 2:1:1 | 150 | 2.5 | 16.6×14.8×14.3 | 5.9 | 131 | |
45 | 3:1:1 | 150 | 2.5 | 16.6×14.8×14.3 | 6 | 131 | |
46 | 1:1 | 80 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 7.5 | 131 | |
47 | 2:1 | 150 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 6.8 | 131 | |
48 | 3:1 | 240 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 6.0 | 131 | |
49 | 1:1:1 | 90 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 7.0 | 131 | |
50 | 2:1:1 | 150 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 6.5 | 131 | |
51 | 3:1:1 | 240 | 4.5 | 22.5×22.5×16 | 6.2 | 131 |
说明:
① 上表中所给出的参数是在室温下测得的典型值。
② 各参数的意义:
u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ
VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s
∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)
LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz V=1V
CK—分布电容 f=1000Hz V=1V
六.选型指南:
① 首先根据系统的工作电压V。(有效值)来确定所需的抗电强度Vp,可按表1推荐选择:
表1:
工作电压 V。 | 220V | 380V | 500V | 800V |
抗电强度 Vp | 1.9kV | 3.1 kV | 4.5 kV | 6 kV |
② 根据控制级电源电压和IGBT需要的驱动电压选择变比。
例如:若初级脉冲幅值为15V,为了使IGBT可靠驱动,则需要选择变比为1:1的驱动变压器,如DRT801/101A、DRT801/111B或DRT802/101A等。若初级脉冲幅值为24-30V,为了使IGBT可靠驱动,则需要选择变比为2:1的驱动变压器,如DRT801/201A、DRT801/211B或DRT802/201A等。
③ 根据伏微秒积(∫udt)及驱动脉冲的频率(fp),按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型。
例如:若调制脉冲的频率为20kHz,脉冲幅度为15V,脉宽为20μs,则其伏微秒积∫udt=15×20=300 μVs,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型,可选DRT802系列产品。若调制脉冲的频率为50kHz,脉冲幅度为24V,脉宽为10μs,则其伏微秒积∫udt=24×10=240μVs,按已知驱动脉冲的伏微秒积应小于等于该频率范围内DRT驱动变压器的额定伏微秒积的原则选型,可选DRT801系列产品。
七.使用指南:
① 典型应用电路:
② 说明:
ⅰ.R1、D1主要起续流作用。D1一般可选1N4007,R1可选1kΩ~2 kΩ;
ⅱ.D2、D3,R2、R3主要起整形和防止IGBT栅极开路并提供放电回路。D2、D3可选用加速二极管,用以提高IGBT的开关速度,R2、R3可选几十欧姆~几百欧姆。
ⅲ.D4、D5主要起限制加在IGBT(g-e)端的电压作用,避免过高的栅射电压击穿栅极。
ⅳ.驱动变压器的使用频率可以在几kHz ~几十kHz之间。
八.DRT系列IGBT驱动变压器的各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值)
① 各参数的意义:
u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。
∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。
V1—输入脉冲幅度(初级脉冲电压)。
tn—在相应的V1和fP下驱动变压器的额定传输脉宽。
V2—输出脉冲幅度(次级脉冲幅度)。
RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。
LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感(将次级绕组短路后测量) f=1000Hz V=1V
CK—分布电容 f=1000Hz V=1V