北京创四方电子集团股份有限公司
(DRT系列)
DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的最新产品，以新型材料作为磁芯，可满足多项应用要求。
这两系列产品是高耐压驱动变压器。具有结构紧凑的特点，其最显著的特点是抗电强度极高。另外，DRT810系列产品，初级备有两个备用的输入通道，每个通道都接有二极管，次级内置整形电路，在使用中可在可控硅门极串接一个二极管用于阻止负极性门极电流。此外如果想测量可控硅的门极电流可在次级接一测量电阻，将次级输出点做为测量点进行测量电阻两端电压，即可得到门极电流的大小。
(KCB系列)
1．全封闭印刷线路板直接焊接安装； 2．机械和环境隔离能力强，结构紧凑、坚固、抗振、防潮、阻燃； 3．各绕组间的抗电强度高； 4．可自行构成所需变比以适应触发要求； 5．能与所有容量的可控硅配套； 6．可作为普通脉冲变压器使用。
(KCB-G系列)
1．全封闭印刷线路板直接焊接安装； 2．机械和环境隔离能力强，结构紧凑、坚固、抗振、防潮、阻燃； 3．各绕组间的抗电强度高； 4．可自行构成所需变比以适应触发要求； 5．能与所有容量的可控硅配套； 6．可作为普通脉冲变压器使用。
1．用于系统电压较高的环境，初次级隔离电压≥30kV； 2．漏感低，脉冲前沿陡峭； 3．铁芯损耗小，变压器温升低； 4．软线引出，安装灵活。
